1. 肖特基二极管概述
肖特基二极管(Schottky Diode)是一种特殊的半导体二极管,由金属和半导体材料形成的肖特基势垒(Schottky Barrier)构成。与传统PN结二极管不同,它利用金属-半导体接触来形成整流效应,因此具有低正向压降(VF)、快速开关速度和低反向恢复时间等特点。
肖特基二极管广泛应用于电源管理、电机驱动、射频电路、高速开关和电磁干扰(EMI)抑制等领域,在现代电子设备中扮演着重要角色。
2. 肖特基二极管的结构与工作原理
2.1 结构
肖特基二极管的基本结构由以下几个部分组成:
 • 金属层(阴极):通常采用铝(Al)、铂(Pt)、钛(Ti)或钼(Mo)等金属材料。
 • N型半导体(阳极):常用硅(Si)、碳化硅(SiC)或砷化镓(GaAs)作为半导体材料。
 • 肖特基势垒:金属与N型半导体之间形成的势垒层,决定了二极管的导通特性。
2.2 工作原理
肖特基二极管的导通和截止依赖于金属和半导体之间的肖特基势垒:
 • 正向偏置(导通):当阳极电位高于阴极(即施加正向电压)时,势垒降低,电子从N型半导体流向金属层,形成电流。
 • 反向偏置(截止):当阴极电位高于阳极(即施加反向电压)时,势垒升高,电子无法自由通过,二极管截止。
由于肖特基二极管没有传统PN结的少子存储效应,因此反向恢复时间极短,非常适合高频应用。